Infineon Technologies IRF8915TRPBF
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IRF8915TRPBF
1211-IRF8915TRPBF
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
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MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8-SOIC
--最小包装量--
IRF8915TRPBF详情
Infineon Technologies IRF8915TRPBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
12 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
Number of Elements
2
Turn Off Delay Time
7.1 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
HEXFET®
已出版
2008
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
电阻
18.3MOhm
电压 - 额定直流
20V
最大功率耗散
2W
额定电流
8.9A
基本部件号
IRF8915PBF
元素配置
Dual
功率耗散
2W
接通延迟时间
6 ns
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
Rds On(Max)@Id,Vgs
18.3m Ω @ 8.9A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
540pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
7.4nC @ 4.5V
上升时间
12ns
下降时间(典型值)
3.6 ns
连续放电电流(ID)
8.9A
阈值电压
2.5V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
20V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
逻辑电平门
高度
1.4986mm
长度
4.9784mm
宽度
3.9878mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
IRF8915TRPBF拓展信息
Infineon Technologies
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