FDS6930B备选型号: FDFS6N303
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- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 资历状况
- 电压
- 电流
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 功率 - 最大
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- 栅源电压
- 反馈上限-最大值 (Crss)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 无铅
- Vgs(最大值)
- MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOICACTIVE (Last Updated: 2 days ago)10 Weeks表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8SILICON2-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®2010e3yes活跃1 (Unlimited)8EAR9938MOhmTin (Sn)30V2W鸥翼未说明5.5A未说明不合格30V55A增强型MOSFET2W6 ns900mW2 N-Channel (Dual)SWITCHING38m Ω @ 5.5A, 10V3V @ 250μA412pF @ 15V3.8nC @ 5V6ns2 ns5.5A1.9V20V30VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门1.9 V60 pF1.5mm5mm4mm无SVHCROHS3 Compliant无铅-
- MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC--表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8-6A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)----Obsolete1 (Unlimited)----30V---6A-----2W--N-Channel-35m Ω @ 6A, 10V3V @ 250μA350pF @ 15V17nC @ 10V12ns6 ns6A1.7V20V30V-Schottky Diode (Isolated)-----无SVHC符合RoHS标准无铅±20V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FDS6912A | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC | 对比 | |
![]() | IRF9389TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8-SO | 对比 |
| FDFS6N303 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC | 对比 |



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