FDS6984AS备选型号: IRF8313TRPBF

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  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 电阻
  • 最大功率耗散
  • 功率耗散
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  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管特性
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  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 晶体管元件材料
  • JESD-609代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 终端形式
  • 基本部件号
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 雪崩能量等级(Eas)
  • 场效应管技术
  • 栅源电压
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 30V 8.5A/5.5A 8-Pin SOIC N T/R
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    18 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    187mg
    5.5A 8.5A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®, SyncFET™
    2005
    活跃
    1 (Unlimited)
    32MOhm
    2W
    2W
    900mW
    2 N-Channel (Dual)
    31m Ω @ 5.5A, 10V
    3V @ 250μA
    420pF @ 15V
    11nC @ 10V
    6ns
    2 ns
    8.5A
    1.7V
    20V
    30V
    逻辑电平门
    1.5mm
    5mm
    3.99mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8-SOIC
    -
    -
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    -
    2
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2008
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    15.5MOhm
    2W
    2W
    -
    2 N-Channel (Dual)
    15.5m Ω @ 9.7A, 10V
    2.35V @ 25μA
    760pF @ 15V
    9nC @ 4.5V
    9.9ns
    4.2 ns
    9.7A
    1.8V
    20V
    30V
    逻辑电平门
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    SILICON
    e3
    8
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    鸥翼
    IRF8313PBF
    Dual
    增强型MOSFET
    8.3 ns
    SWITCHING
    30V
    46 mJ
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    1.8 V
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