FDS6984AS备选型号: IRF8313TRPBF
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- 湿度敏感性等级(MSL)
- 电阻
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- 功率耗散
- 功率 - 最大
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
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- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
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- 场效应管特性
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- RoHS状态
- 无铅
- 晶体管元件材料
- JESD-609代码
- 终止次数
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- 端子表面处理
- 终端形式
- 基本部件号
- 元素配置
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- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 漏源电压 (Vdss)
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- 场效应管技术
- 栅源电压
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- Trans MOSFET N-CH 30V 8.5A/5.5A 8-Pin SOIC N T/RACTIVE (Last Updated: 2 days ago)18 WeeksTin表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8187mg5.5A 8.5A-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®, SyncFET™2005活跃1 (Unlimited)32MOhm2W2W900mW2 N-Channel (Dual)31m Ω @ 5.5A, 10V3V @ 250μA420pF @ 15V11nC @ 10V6ns2 ns8.5A1.7V20V30V逻辑电平门1.5mm5mm3.99mm无SVHCROHS3 Compliant无铅----------------
- MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8-SOIC---表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8-2-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2008不用于新设计1 (Unlimited)15.5MOhm2W2W-2 N-Channel (Dual)15.5m Ω @ 9.7A, 10V2.35V @ 25μA760pF @ 15V9nC @ 4.5V9.9ns4.2 ns9.7A1.8V20V30V逻辑电平门1.4986mm4.9784mm3.9878mm无SVHCROHS3 Compliant无铅SILICONe38EAR99Matte Tin (Sn)鸥翼IRF8313PBFDual增强型MOSFET8.3 nsSWITCHING30V46 mJMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR1.8 V无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRF8313TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8-SOIC | 对比 |
| FDS8882 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC | 对比 | |
| FDFS6N303 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC | 对比 |



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