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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥6.010849
10
¥5.670614
100
¥5.349636
500
¥5.046828
1000
¥4.761158
ON Semiconductor FDS6984AS
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- 对比
FDS6984AS
1807-FDS6984AS
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
大陆
立即发货

Trans MOSFET N-CH 30V 8.5A/5.5A 8-Pin SOIC N T/R
--最小包装量--
¥
总价: ¥
FDS6984AS详情
ON Semiconductor FDS6984AS重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
工厂交货时间
18 Weeks
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
质量
187mg
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
5.5A 8.5A
Number of Elements
2
Turn Off Delay Time
22 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®, SyncFET™
已出版
2005
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
电阻
32MOhm
最大功率耗散
2W
功率耗散
2W
功率 - 最大
900mW
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
Rds On(Max)@Id,Vgs
31m Ω @ 5.5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
420pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
11nC @ 10V
上升时间
6ns
下降时间(典型值)
2 ns
连续放电电流(ID)
8.5A
阈值电压
1.7V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
30V
场效应管特性
逻辑电平门
高度
1.5mm
长度
5mm
宽度
3.99mm
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
FDS6984AS拓展信息








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