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首页 全部分类 FDS6986AS vs FDS6900AS

FDS6986AS备选型号: FDS6900AS

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  • 最大功率耗散
  • 终端形式
  • 额定电流
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • 终端
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 资历状况
  • 功率 - 最大
  • 双电源电压
  • 栅源电压
  • ON Semiconductor
    FDS6986AS
    ON Semiconductor
    MOSFET 2N-CH 30V 6.5A/7.9A 8SOIC
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    187mg
    SILICON
    6.5A 7.9A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®, SyncFET™
    2005
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    29MOhm
    Tin (Sn)
    30V
    900mW
    鸥翼
    7.9A
    Dual
    增强型MOSFET
    2W
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    29m Ω @ 6.5A, 10V
    3V @ 250μA
    720pF @ 10V
    17nC @ 10V
    9ns
    3 ns
    7.9mA
    1.7V
    20V
    6.5A
    30V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    1.5mm
    5mm
    3.99mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDS6900AS
    ON Semiconductor
    MOSFET Dual NCh PowerTrench
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    187mg
    SILICON
    6.9A 8.2A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®, SyncFET™
    2005
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    27MOhm
    -
    30V
    2W
    鸥翼
    8.2A
    Dual
    增强型MOSFET
    2W
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    27m Ω @ 6.9A, 10V
    3V @ 250μA
    600pF @ 15V
    15nC @ 10V
    4ns
    3 ns
    8.2A
    1.9V
    20V
    6.9A
    30V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    1.5mm
    5mm
    3.99mm
    无SVHC
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin
    SMD/SMT
    未说明
    未说明
    不合格
    900mW
    30V
    1.9 V
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