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首页 全部分类 FDS7779Z vs IRF8113TRPBF

FDS7779Z备选型号: IRF8113TRPBF

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  • 额定电流
  • 功率耗散
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 引脚数
  • 终端
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 配置
  • 行间距
  • 操作模式
  • 接通延迟时间
  • 阈值电压
  • 双电源电压
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    FDS7779Z
    ON Semiconductor
    MOSFET P-CH 30V 16A 8SOIC
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    16A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2003
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -30V
    -16A
    2.5W
    P-Channel
    7.2m Ω @ 16A, 10V
    3V @ 250μA
    3800pF @ 15V
    98nC @ 10V
    9ns
    30V
    ±25V
    55 ns
    16A
    25V
    -30V
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF8113TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    17.2A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2005
    活跃
    1 (Unlimited)
    30V
    16.6A
    2.5W
    N-Channel
    5.6m Ω @ 17.2A, 10V
    2.2V @ 250μA
    2910pF @ 15V
    36nC @ 4.5V
    8.9ns
    -
    ±20V
    3.5 ns
    17.2A
    20V
    30V
    ROHS3 Compliant
    Contains Lead, Lead Free
    12 Weeks
    8
    SMD/SMT
    EAR99
    5.6MOhm
    Single
    6.3 mm
    增强型MOSFET
    13 ns
    2.2V
    30V
    2.2 V
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
    无
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