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首页 全部分类 FDS8449 vs FDS6612A

FDS8449备选型号: FDS6612A

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  • 端子位置
  • 终端形式
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  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 栅源电压
  • 长度
  • 高度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 终端
  • 附加功能
  • 双电源电压
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    FDS8449
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 40V 7.6A 8-Pin SOIC N T/R
    9 Weeks
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    Tin
    8
    130mg
    SILICON
    1
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2005
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    29MOhm
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    40V
    DUAL
    鸥翼
    未说明
    7.6A
    未说明
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    2.5W
    9 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    29m Ω @ 7.6A, 10V
    3V @ 250μA
    760pF @ 20V
    11nC @ 5V
    5ns
    ±20V
    3 ns
    7.6A
    1.9V
    20V
    40V
    1.9 V
    5mm
    1.5mm
    4mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDS6612A
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 8.4A 8-SOIC
    18 Weeks
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    -
    8
    130mg
    SILICON
    2.5W Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    -
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    22MOhm
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    30V
    DUAL
    鸥翼
    -
    8.4A
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    2.5W
    7 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    22m Ω @ 8.4A, 10V
    3V @ 250μA
    560pF @ 15V
    7.6nC @ 5V
    5ns
    ±20V
    3 ns
    8.4A
    1.9V
    20V
    30V
    1.9 V
    -
    -
    -
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    SMD/SMT
    逻辑电平兼容
    30V
    无
  • 添加型号
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