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首页 全部分类 FDS8690 vs IRF7805ZPBF

FDS8690备选型号: IRF7805ZPBF

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  • 端子表面处理
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  • 元素配置
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  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 栅源电压
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 已出版
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 阈值电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • ON Semiconductor
    FDS8690
    ON Semiconductor
    N-Channel 30 V 7.6 mOhm Surface Mount PowerTrench Mosfet - SOIC-8
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    130mg
    SILICON
    14A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Tin (Sn)
    DUAL
    鸥翼
    Single
    增强型MOSFET
    2.5W
    8 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    7.6m Ω @ 14A, 10V
    3V @ 250μA
    1680pF @ 15V
    27nC @ 10V
    1.8ns
    ±20V
    19 ns
    14A
    20V
    0.0076Ohm
    30V
    1.6 V
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF7805ZPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
    -
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    -
    SILICON
    16A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    -
    -
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    8
    -
    -
    DUAL
    鸥翼
    Single
    增强型MOSFET
    2.5W
    11 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    6.8m Ω @ 16A, 10V
    2.25V @ 250μA
    2080pF @ 15V
    27nC @ 4.5V
    10ns
    ±20V
    3.7 ns
    16A
    20V
    -
    30V
    -
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    2005
    30V
    16A
    2.25V
    1.5mm
    5mm
    4mm
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