FDS8840NZ备选型号: IRF7832TRPBF
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- 晶体管元件材料
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- 操作温度
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 反馈上限-最大值 (Crss)
- 宽度
- 长度
- 高度
- RoHS状态
- 辐射硬化
- 触点镀层
- 终端
- 电阻
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 行间距
- 通道数量
- 阈值电压
- 双电源电压
- 雪崩能量等级(Eas)
- 恢复时间
- 最大结点温度(Tj)
- 栅源电压
- 达到SVHC
- 无铅
- MOSFET PT4 Nch with Zener16 WeeksACTIVE (Last Updated: 2 days ago)8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)表面贴装表面贴装8130mgSILICON18.6A Ta2009PowerTrench®Tape & Reel (TR)-55°C~150°C TJe4yes活跃1 (Unlimited)8EAR99Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)DUAL鸥翼Single增强型MOSFET2.5W18 nsN-ChannelSWITCHING4.5m Ω @ 18.6A, 10V3V @ 250μA7535pF @ 20V144nC @ 10V13ns±20V11 ns18.6A20V0.0045Ohm40V670 pF3.9mm4.9mm1.575mmROHS3 Compliant无---------------
- MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOIC12 Weeks-8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)表面贴装表面贴装8-SILICON20A Ta2005HEXFET®Tape & Reel (TR)-55°C~155°C TJ--活跃1 (Unlimited)8EAR99-DUAL鸥翼Single增强型MOSFET2.5W12 nsN-ChannelSWITCHING4m Ω @ 20A, 10V2.32V @ 250μA4310pF @ 15V51nC @ 4.5V6.7ns±20V13 ns20A20V-30V-3.9878mm4.9784mm1.75mmROHS3 Compliant无TinSMD/SMT4MOhm30V20A6.3 mm12.32V30V260 mJ62 ns155°C2.32 V无SVHCContains Lead, Lead Free
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FDS8638 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 40V 18A 8-SOIC | 对比 | |
![]() | IRF7832TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOIC | 对比 |



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