FDS8884备选型号: FDS6612A
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 端子位置
- 终端形式
- 额定电流
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级(Eas)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 终端
- 电阻
- 双电源电压
- 栅源电压
- Trans MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-Pin SOIC N T/RACTIVE (Last Updated: 6 days ago)18 WeeksTin表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8130mgSILICON8.5A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®2006e4yes活跃1 (Unlimited)8EAR99Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)快速切换30VDUAL鸥翼8.5ASingle增强型MOSFET2.5W5 nsN-ChannelSWITCHING23m Ω @ 8.5A, 10V2.5V @ 250μA635pF @ 15V13nC @ 10V9ns±20V21 ns8.5A1.7V20V0.023Ohm30V40A32 mJ1.5mm5mm4mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅----
- MOSFET N-CH 30V 8.4A 8-SOICACTIVE (Last Updated: 1 day ago)18 Weeks-表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8130mgSILICON2.5W Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®-e4yes活跃1 (Unlimited)8EAR99Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)逻辑电平兼容30VDUAL鸥翼8.4ASingle增强型MOSFET2.5W7 nsN-ChannelSWITCHING22m Ω @ 8.4A, 10V3V @ 250μA560pF @ 15V7.6nC @ 5V5ns±20V3 ns8.4A1.9V20V-30V-----无SVHC无ROHS3 Compliant无铅SMD/SMT22MOhm30V1.9 V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRF8707GTRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC | 对比 |
| FDS8882 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC | 对比 | |
| FDS6612A | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 8.4A 8-SOIC | 对比 |



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