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FDS89141备选型号: FDS89161LZ
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- 晶体管元件材料
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- JESD-609代码
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
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- 最大功率耗散
- 终端形式
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 功率 - 最大
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 雪崩能量等级（Eas）
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
MOSFET 100V Dual N-Channel PowerTrench MOSFETACTIVE (Last Updated: 6 days ago)11 Weeks表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8187mgSILICON2-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®2010e3yes活跃1 (Unlimited)8EAR9962MOhmTin (Sn)ULTRA-LOW RESISTANCE31W鸥翼Dual增强型MOSFET31W5 ns1.6W2 N-Channel (Dual)SWITCHING62m Ω @ 3.5A, 10V4V @ 250μA398pF @ 50V7.1nC @ 10V1.4ns100V2.2 ns3.5A3.1V20V100V37 mJMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门1.5mm4mm5mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅--- MOSFET PT5 100V Logic Level with ZenerACTIVE (Last Updated: 6 days ago)13 Weeks表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8187mgSILICON2-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®2006e3yes活跃1 (Unlimited)8EAR99-Tin (Sn)ULTRA-LOW RESISTANCE1.6W鸥翼Dual增强型MOSFET31W3.8 ns-2 N-Channel (Dual)SWITCHING105m Ω @ 2.7A, 10V2.2V @ 250μA302pF @ 50V5.3nC @ 10V10ns100V10 ns2.7A-20V100V13 mJMETAL-OXIDE SEMICONDUCTORStandard1.575mm4.9mm3.9mm-无ROHS3 Compliant-0.105Ohm15A
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FDS3992 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | ON SEMICONDUCTOR - FDS3992 - Dual MOSFET, Dual N Channel, 4.5 A, 100 V, 0.054 ohm, 10 V, 4 V | 对比 |
| FDS3692 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | Trans MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-Pin SOIC N T/R | 对比 |
| FDS89161LZ | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET PT5 100V Logic Level with Zener | 对比 |
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