FDS8926A备选型号: FDFS6N548
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- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终端
- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 额定电流
- 元素配置
- 功率耗散
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 双电源电压
- 场效应管特性
- 栅源电压
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- 操作模式
- 接通延迟时间
- 正向电流
- 晶体管应用
- Vgs(最大值)
- 正向电压
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 高度
- 长度
- 宽度
- MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8-SO表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8230.4mg2-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)1998Obsolete1 (Unlimited)SMD/SMT30V900mW5.5ADual2W2 N-Channel (Dual)30m Ω @ 5.5A, 4.5V1V @ 250μA900pF @ 10V28nC @ 4.5V19ns13 ns5.5A8V30V30V逻辑电平门670 mV无SVHC无符合RoHS标准无铅-----------------------
- MOSFET N-CH 30V 7A 8-SOIC表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8187mg7A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2017ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)1 (Unlimited)SMD/SMT---Single2WN-Channel23m Ω @ 7A, 10V-700pF @ 15V13nC @ 10V2ns2 ns7A20V30V30VSchottky Diode (Isolated)1.8 V无SVHC无ROHS3 Compliant无铅18 WeeksSILICON2.5V @ 250μAPowerTrench®e3yes8EAR9923MOhmTin (Sn)DUAL鸥翼增强型MOSFET6 ns2mASWITCHING±20V450mV7A30A1.5mm5mm4mm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRF7313TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC | 对比 |
| FDFS6N548 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 7A 8-SOIC | 对比 |



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