FDS8934A备选型号: IRF7307TRPBF
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- 电压 - 额定直流
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- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
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- 场效应管特性
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- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 晶体管元件材料
- 系列
- JESD-609代码
- 终止次数
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- 电阻
- 端子表面处理
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 基本部件号
- 操作模式
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 阈值电压
- 场效应管技术
- 栅源电压
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8230.4mg4A-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)1998Obsolete1 (Unlimited)-20V900mW-4ADual2W8 ns2 P-Channel (Dual)55m Ω @ 4A, 4.5V1V @ 250μA1130pF @ 10V28nC @ 5V23ns20V90 ns-4A-8V-20V逻辑电平门1.5mm5mm4mm符合RoHS标准无铅--------------------
- MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8-5.2A 4.3A-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)1997活跃1 (Unlimited)-2W5.2A-2W-N and P-Channel50m Ω @ 2.6A, 4.5V700mV @ 250μA660pF @ 15V20nC @ 4.5V26ns-33 ns5.2A12V20V逻辑电平门1.4986mm4.9784mm3.9878mmROHS3 Compliant无铅12 WeeksSILICONHEXFET®e38EAR9950mOhmMatte Tin (Sn)超低电阻DUAL鸥翼IRF7307PBF增强型MOSFETSWITCHINGN-CHANNEL AND P-CHANNEL700mVMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR700 mV无SVHC无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRF7307TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC | 对比 |
| FDS8433A | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | Trans MOSFET P-CH 20V 5A 8-Pin SOIC N T/R | 对比 | |
![]() | IRF7301TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8-SOIC | 对比 |



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