FDS8949备选型号: FDS8449

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  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 电压 - 额定直流
  • 最大功率耗散
  • 终端形式
  • 额定电流
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 栅源电压
  • 宽度
  • 长度
  • 高度
  • RoHS状态
  • 辐射硬化
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 资历状况
  • 晶体管应用
  • Vgs(最大值)
  • ON Semiconductor
    ON SEMICONDUCTOR - FDS8949 - DUAL N CHANNEL MOSFET, 40V, SOIC, FULL REEL
    12 Weeks
    ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    表面贴装
    表面贴装
    Tin
    8
    187mg
    SILICON
    23 ns
    2006
    PowerTrench®
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~150°C TJ
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    SMD/SMT
    EAR99
    29mOhm
    40V
    2W
    鸥翼
    6A
    Dual
    增强型MOSFET
    2W
    9 ns
    2 N-Channel (Dual)
    29m Ω @ 6A, 10V
    3V @ 250μA
    955pF @ 20V
    11nC @ 5V
    5ns
    3 ns
    6A
    1.9V
    20V
    6A
    40V
    40V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    1.9 V
    4mm
    5mm
    1.5mm
    ROHS3 Compliant
    无SVHC
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 40V 7.6A 8-Pin SOIC N T/R
    9 Weeks
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    表面贴装
    表面贴装
    Tin
    8
    130mg
    SILICON
    1
    2005
    PowerTrench®
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~150°C TJ
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    -
    EAR99
    29MOhm
    40V
    -
    鸥翼
    7.6A
    Single
    增强型MOSFET
    2.5W
    9 ns
    N-Channel
    29m Ω @ 7.6A, 10V
    3V @ 250μA
    760pF @ 20V
    11nC @ 5V
    5ns
    3 ns
    7.6A
    1.9V
    20V
    -
    40V
    -
    -
    -
    1.9 V
    4mm
    5mm
    1.5mm
    ROHS3 Compliant
    -
    无SVHC
    无铅
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    DUAL
    未说明
    未说明
    不合格
    SWITCHING
    ±20V
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