FDS9926A备选型号: FDS9934C
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- 工厂交货时间
- 生命周期状态
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
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- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 终端
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 终端形式
- 额定电流
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 功率 - 最大
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 双电源电压
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- 栅源电压
- 长度
- 高度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 电阻
- 端子位置
- 极性/通道类型
- ON SEMICONDUCTOR - FDS9926A - Dual MOSFET, Dual N Channel, 6.5 A, 20 V, 0.025 ohm, 4.5 V, 1 V10 WeeksACTIVE (Last Updated: 1 week ago)表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8187mgSILICON2-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®2003e3yes活跃1 (Unlimited)8SMD/SMTEAR99Tin (Sn)20V2W鸥翼6.5ADual增强型MOSFET2W8 ns900mW2 N-Channel (Dual)SWITCHING30m Ω @ 6.5A, 4.5V1.5V @ 250μA650pF @ 10V9nC @ 4.5V9ns4 ns6.5A1V10V0.03Ohm20V20VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门1 V5mm1.5mm4mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅---
- MOSFET 20V Complementary PowerTrench18 WeeksACTIVE (Last Updated: 5 hours ago)表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8187mgSILICON6.5A 5A-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)-2004e3yes活跃1 (Unlimited)8SMD/SMTEAR99Tin (Sn)-2W鸥翼6.5A-增强型MOSFET2W16 ns900mWN and P-ChannelSWITCHING30m Ω @ 6.5A, 4.5V1.5V @ 250μA650pF @ 10V9nC @ 4.5V9ns9 ns6.5A1V12V-20V20VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门1 V4.9mm1.575mm3.9mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅30MOhmDUALN-CHANNEL AND P-CHANNEL
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRF7331TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 2N-CH 20V 7A 8-SOIC | 对比 |
![]() | IRF7317TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC | 对比 |
| SI9424DY | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET P-CH 20V 8A 8-SOIC | 对比 |



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