FDS9933BZ备选型号: FDS9933
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- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 最大功率耗散
- 元素配置
- 功率耗散
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 场效应管特性
- RoHS状态
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 无铅
- MOSFET -20V 2.5V Dual P-Ch PowerTrench表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8230.4mg2-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®2008yesObsolete1 (Unlimited)900mWDual1.6W2 P-Channel (Dual)46m Ω @ 4.9A, 4.5V1.5V @ 250μA985pF @ 10V15nC @ 4.5V9.3ns20V9.3 ns4.9A12V20V逻辑电平门符合RoHS标准---
- MOSFET 2P-CH 20V 5A 8SOIC表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8187mg2-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®--Obsolete1 (Unlimited)900mWDual2W2 P-Channel (Dual)55m Ω @ 3.2A, 4.5V1.2V @ 250μA825pF @ 10V20nC @ 4.5V46ns20V25 ns5A12V-20V逻辑电平门符合RoHS标准-20V-5A无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FDS9933 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 2P-CH 20V 5A 8SOIC | 对比 | |
![]() | IRF7301TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8-SOIC | 对比 |



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