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首页 全部分类 FDS9933BZ vs IRF7314TRPBF

FDS9933BZ备选型号: IRF7314TRPBF

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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 晶体管元件材料
  • JESD-609代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 行间距
  • 操作模式
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 阈值电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 场效应管技术
  • 恢复时间
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    FDS9933BZ
    ON Semiconductor
    MOSFET -20V 2.5V Dual P-Ch PowerTrench
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    230.4mg
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2008
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    900mW
    Dual
    1.6W
    2 P-Channel (Dual)
    46m Ω @ 4.9A, 4.5V
    1.5V @ 250μA
    985pF @ 10V
    15nC @ 4.5V
    9.3ns
    20V
    9.3 ns
    4.9A
    12V
    20V
    逻辑电平门
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF7314TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET 2P-CH 20V 5.3A 8-SOIC
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    -
    5.3A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    1997
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    2W
    Dual
    2W
    2 P-Channel (Dual)
    58m Ω @ 2.9A, 4.5V
    700mV @ 250μA
    780pF @ 15V
    29nC @ 4.5V
    40ns
    20V
    49 ns
    -5.3A
    12V
    -20V
    逻辑电平门
    ROHS3 Compliant
    12 Weeks
    Tin
    SILICON
    e3
    8
    EAR99
    58mOhm
    雪崩 额定
    -20V
    鸥翼
    260
    -5.3A
    30
    IRF7314PBF
    6.3 mm
    增强型MOSFET
    15 ns
    SWITCHING
    -700mV
    150 mJ
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    71 ns
    -700 mV
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
    无
    无铅
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