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FDT86113LZ备选型号: FDT86106LZ
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- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 反馈上限-最大值 (Crss)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 端子表面处理
- 栅源电压
MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFETACTIVE (Last Updated: 12 hours ago)8 WeeksTin表面贴装表面贴装TO-261-4, TO-261AA4250.2mgSILICON3.3A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®2011e3yes活跃1 (Unlimited)4EAR99LOGIC LEVEL COMPATIBLE, ULTRA-LOW RESISTANCEDUAL鸥翼Single增强型MOSFET2.2WDRAIN3.8 nsN-ChannelSWITCHING100m Ω @ 3.3A, 10V2.5V @ 250μA315pF @ 50V6.8nC @ 10V1.3ns±20V1.5 ns3.3A1.7V20V100V5 pF1.7mm3.7mm6.7mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅--- Trans MOSFET N-CH 100V 3.2A 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/RACTIVE (Last Updated: 11 hours ago)8 Weeks-表面贴装表面贴装TO-261-4, TO-261AA4250.2mgSILICON3.2A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®2006e3yes活跃1 (Unlimited)4EAR99LOGIC LEVEL COMPATIBLE, ULTRA-LOW RESISTANCEDUAL鸥翼Single增强型MOSFET2.2WDRAIN3.8 nsN-ChannelSWITCHING108m Ω @ 3.2A, 10V2.2V @ 250μA315pF @ 50V7nC @ 10V1.3ns±20V1.5 ns3.2A1.5V20V100V5 pF1.7mm3.7mm6.7mm无SVHC无ROHS3 Compliant-Tin (Sn)1.5 V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | BSP372NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223 | 对比 |
 | FQT7N10LTF | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223 | 对比 |
| FDT86106LZ | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-261-4, TO-261AA | Trans MOSFET N-CH 100V 3.2A 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R | 对比 |
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