FDT86246备选型号: FDT86244
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 栅源电压
- 反馈上限-最大值 (Crss)
- 长度
- 高度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- MOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFETACTIVE (Last Updated: 12 hours ago)8 Weeks表面贴装表面贴装TO-261-4, TO-261AA4250.2mgSILICON1-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®2006e3yes活跃1 (Unlimited)4EAR99Tin (Sn)ULTRA-LOW RESISTANCEDUAL鸥翼Single增强型MOSFET2.2WDRAIN7.8 nsN-ChannelSWITCHING236m Ω @ 2A, 10V4V @ 250μA215pF @ 75V4nC @ 10V2.3ns±20V1.2 ns2A3.1V20V2A0.236Ohm150V3.1 V5 pF3.7mm1.7mm6.7mm无SVHC无ROHS3 Compliant-
- MOSFET N-CH 150V 2.8A SOT-223ACTIVE (Last Updated: 12 hours ago)9 Weeks表面贴装表面贴装TO-261-4, TO-261AA4250.2mgSILICON2.8A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®2011e3yes活跃1 (Unlimited)4EAR99Tin (Sn)ULTRA-LOW RESISTANCEDUAL鸥翼Single增强型MOSFET2.2WDRAIN5.3 nsN-ChannelSWITCHING128m Ω @ 2.8A, 10V4V @ 250μA395pF @ 75V7nC @ 10V1.3ns±20V2.4 ns2.8A3.1V20V--150V3.1 V5 pF3.7mm1.7mm6.7mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅
- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRFM120ATF | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-261-4, TO-261AA | Trans MOSFET N-CH 100V 2.3A 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R | 对比 |
| FDT86244 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET N-CH 150V 2.8A SOT-223 | 对比 |



哦! 它是空的。