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FDU7N60NZTU备选型号: FCU5N60TU
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- 晶体管元件材料
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- 终止次数
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- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 高度
- 长度
- 宽度
- RoHS状态
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 箱体转运
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 阈值电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- 无铅
MOSFET N-CH 600V SGL IPAKACTIVE (Last Updated: 15 hours ago)5 Weeks通孔通孔TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA3343.08mgSILICON5.5A Tc-55°C~150°C TJTubeUniFET-II™2013e3yes活跃1 (Unlimited)3EAR99Tin (Sn)8541.29.00.95未说明not_compliant未说明Single增强型MOSFET90W17.5 nsN-ChannelSWITCHING1.25 Ω @ 2.75A, 10V5V @ 250μA730pF @ 25V17nC @ 10V±25V5.5A25V600V22A7.57mm6.8mm2.5mmROHS3 Compliant----------- MOSFET N-CH 600V 4.6A I-PAKACTIVE, NOT REC (Last Updated: 3 days ago)36 Weeks通孔通孔TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA3343.08mgSILICON4.6A Tc-55°C~150°C TJTubeSuperFET™-e3yes不用于新设计1 (Unlimited)3EAR99Tin (Sn)----Single增强型MOSFET54W12 nsN-ChannelSWITCHING950m Ω @ 2.3A, 10V5V @ 250μA600pF @ 25V16nC @ 10V±30V4.6A30V600V----ROHS3 Compliant600V4.6AISOLATED40ns22 ns5V0.95Ohm无SVHC无无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | STU7N60M2 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(3 Tab) IPAK Tube | 对比 |
 | STU6N60M2 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M2 | 对比 |
| FDU6N50TU | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET N-CH 500V 6A IPAK | 对比 |
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