ON Semiconductor FDU7N60NZTU

工厂交货时间

5 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

引脚数

3

质量

343.08mg

晶体管元件材料

SILICON

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

90W Tc

Turn Off Delay Time

40 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

5V @ 250μA

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

5.5A Tc

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

UniFET-II™

已出版

2013

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

ACTIVE (Last Updated: 15 hours ago)

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

HTS代码

8541.29.00.95

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

90W

接通延迟时间

17.5 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.25 Ω @ 2.75A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

730pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

17nC @ 10V

Vgs（最大值）

±25V

连续放电电流(ID)

5.5A

栅极至源极电压(Vgs)

25V

漏源击穿电压

600V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

22A

高度

7.57mm

长度

6.8mm

宽度

2.5mm

达到SVHC

not_compliant

RoHS状态

ROHS3 Compliant