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首页 全部分类 FDU8882 vs IRFU3707ZPBF

FDU8882备选型号: IRFU3707ZPBF

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  • 元素配置
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  • 场效应管类型
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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
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  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 引脚数
  • 供应商器件包装
  • 已出版
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  • 最小工作温度
  • 接通延迟时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 阈值电压
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    FDU8882
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 55A I-PAK
    通孔
    通孔
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
    12.6A Ta 55A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    PowerTrench®
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    30V
    55A
    Single
    55W
    N-Channel
    11.5m Ω @ 35A, 10V
    2.5V @ 250μA
    1260pF @ 15V
    33nC @ 10V
    82ns
    ±20V
    25 ns
    55A
    20V
    30V
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFU3707ZPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 56A I-PAK
    通孔
    通孔
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
    56A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    30V
    56A
    Single
    50W
    N-Channel
    9.5mOhm @ 15A, 10V
    2.25V @ 25μA
    1150pF @ 15V
    14nC @ 4.5V
    11ns
    ±20V
    3.3 ns
    56A
    20V
    30V
    符合RoHS标准
    无铅
    3
    IPAK (TO-251)
    2003
    175°C
    -55°C
    8 ns
    30V
    4V
    1.15nF
    12.5mOhm
    9.5 mΩ
    4 V
    6.22mm
    6.7056mm
    2.3876mm
    无SVHC
    无
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