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首页 全部分类 FDWS5360L-F085 vs NVMFS5C670NLT1G

FDWS5360L-F085备选型号: NVMFS5C670NLT1G

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  • 晶体管元件材料
  • 已出版
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  • 端子位置
  • 终端形式
  • Reach合规守则
  • 参考标准
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
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  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    FDWS5360L-F085
    ON Semiconductor
    MOSFET NCH 60V 60A POWER56
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)
    2 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    172.8mg
    60A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    Single
    N-Channel
    8.5m Ω @ 60A, 10V
    3V @ 250μA
    3695pF @ 30V
    72nC @ 10V
    60V
    ±20V
    60A
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NVMFS5C670NLT1G
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 60V 71A SO8FL
    ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 14 hours ago)
    38 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    -
    17A Ta 71A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    yes
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    -
    N-Channel
    6.1m Ω @ 35A, 10V
    2V @ 250μA
    1400pF @ 25V
    20nC @ 10V
    60V
    ±20V
    71A
    ROHS3 Compliant
    Tin
    SILICON
    2015
    e3
    5
    DUAL
    FLAT
    not_compliant
    AEC-Q101
    R-PDSO-F5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    11 ns
    60ns
    4 ns
    2V
    20V
    440A
    60V
    166 mJ
    无SVHC
    无铅
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