ON Semiconductor NVMFS5C670NLT1G

生命周期状态

ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 14 hours ago)

工厂交货时间

38 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerTDFN

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

17A Ta 71A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

3.6W Ta 61W Tc

Turn Off Delay Time

15 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2015

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Discontinued

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

Reach合规守则

not_compliant

参考标准

AEC-Q101

JESD-30代码

R-PDSO-F5

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

11 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

6.1m Ω @ 35A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1400pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

20nC @ 10V

上升时间

60ns

漏源电压 (Vdss)

60V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

4 ns

连续放电电流(ID)

71A

阈值电压

2V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

440A

DS 击穿电压-最小值

60V

雪崩能量等级（Eas）

166 mJ

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅