FDWS86369-F085备选型号: DMT6007LFG-7
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- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- JEDEC-95代码
- 漏极-源极导通最大电阻
- 雪崩能量等级(Eas)
- 接通时间-最大值(ton)
- RoHS状态
- 已出版
- ECCN 代码
- MOSFET NCH 80V 65A POWER56ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)44 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerTDFN8172.8mgSILICON65A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®e3yes活跃1 (Unlimited)5Matte Tin (Sn)DUALFLAT未说明not_compliant未说明R-PDSO-F5Single增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING7.5m Ω @ 65A, 10V4V @ 250μA2470pF @ 40V46nC @ 10V80V±20V65AMO-240AA0.0075Ohm27 mJ39nsROHS3 Compliant--
- MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI333-23 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerVDFN8--15A Ta 80A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)-e3yes活跃1 (Unlimited)-Matte Tin (Sn)--未说明not_compliant未说明----N-Channel-6m Ω @ 20A, 10V2V @ 250μA2090pF @ 30V41.3nC @ 10V60V±20V80A----ROHS3 Compliant2015EAR99
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FDMS86369-F085 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 80V 65A POWER56 | 对比 | |
![]() | BSC072N08NS5ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 80V 74A 8TDSON | 对比 |
![]() | BSC061N08NS5ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET N-Ch 80V 82A TDSON-8 | 对比 |




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