FDZ371PZ备选型号: FDC642P

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  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 包装/外壳
  • 安装类型
  • 底架
  • 触点镀层
  • 引脚数
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
  • 系列
  • 包装
  • 操作温度
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 宽度
  • 长度
  • 高度
  • RoHS状态
  • 辐射硬化
  • 达到SVHC
  • 已出版
  • 电阻
  • 电压 - 额定直流
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 资历状况
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    MOSFET P-CH 20V 3.7A WLCSP
    10 Weeks
    4-XFBGA, WLCSP
    表面贴装
    表面贴装
    Copper, Silver, Tin
    4
    68.4mg
    SILICON
    1V @ 250μA
    124 ns
    PowerTrench®
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~150°C TJ
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    EAR99
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    BOTTOM
    BALL
    Single
    增强型MOSFET
    1.7W
    5.9 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    75m Ω @ 2A, 4.5V
    1000pF @ 10V
    17nC @ 4.5V
    9.1ns
    20V
    ±8V
    88 ns
    -3.7A
    -600mV
    8V
    0.075Ohm
    -20V
    1mm
    1mm
    400μm
    ROHS3 Compliant
    无
    无SVHC
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDC642P
    13 Weeks
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
    表面贴装
    表面贴装
    Tin
    6
    36mg
    SILICON
    1.5V @ 250μA
    4A Ta
    PowerTrench®
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~150°C TJ
    e3
    yes
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    -
    DUAL
    鸥翼
    Single
    增强型MOSFET
    1.6W
    6 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    65m Ω @ 4A, 4.5V
    925pF @ 10V
    16nC @ 4.5V
    7ns
    20V
    ±8V
    7 ns
    4A
    -600mV
    8V
    -
    -20V
    1.7mm
    3mm
    1mm
    ROHS3 Compliant
    -
    无SVHC
    2017
    65mOhm
    -20V
    未说明
    -4A
    未说明
    不合格
    4A
    无铅
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