FDZ375P备选型号: SI3443DV
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 无铅
- MOSFET P-CH 20V WLCSP 1X1ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)13 Weeks表面贴装表面贴装4-XFBGA, WLCSP468.4mgSILICON3.7A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®e1yes活跃1 (Unlimited)4EAR99Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)BOTTOMBALLSingle增强型MOSFET1.7W5.3 nsP-ChannelSWITCHING78m Ω @ 2A, 4.5V1.2V @ 250μA865pF @ 10V15nC @ 4.5V8.2ns20V±8V84 ns3.7A-500mV8V0.078Ohm-20V-500 mV400μm1mm1mm无SVHC无ROHS3 Compliant--
- P-Channel 2.5V Specified PowerTrench® MOSFET -20V, -4A, 65mOACTIVE (Last Updated: 14 hours ago)10 Weeks表面贴装表面贴装SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6636mgSILICON4A Ta-55°C~150°C TJCut Tape (CT)PowerTrench®e3yes活跃1 (Unlimited)6EAR99Tin (Sn)DUAL鸥翼Single增强型MOSFET1.6W11 nsP-ChannelSWITCHING65m Ω @ 4A, 4.5V1.5V @ 250μA640pF @ 10V10nC @ 4.5V19ns20V±8V19 ns-4A-700mV8V--20V----无SVHC无ROHS3 Compliant4A无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | ZXMN2B14FHTA | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Trans MOSFET N-CH 20V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R | 对比 |
| FDC642P | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | FDC642P | 对比 | |
| SI3443DV | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | P-Channel 2.5V Specified PowerTrench® MOSFET -20V, -4A, 65mO | 对比 |




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