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首页 全部分类 FEP16FT vs SBR20A200CT

FEP16FT备选型号: SBR20A200CT

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  • 正向电压
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  • 平均整流电流
  • 反向恢复时间
  • 峰值反向电流
  • 最大重复反向电压(Vrrm)
  • 峰值非恢复性浪涌电流
  • 反向电压
  • 二极管配置
  • 最大正向浪涌电流（Ifsm）
  • 恢复时间
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 二极管元件材料
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  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • 终端
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 应用
  • HTS代码
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 相位的数量
  • JEDEC-95代码
  • 最大结点温度（Tj）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    FEP16FT
    ON Semiconductor
    DIODE ARRAY GP 300V 16A TO220AB
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    TO-220-3
    1.8g
    Tube
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    60pF
    300V
    16A
    FEP16F
    共阴极
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Standard
    10μA @ 300V
    8.33W
    1.3V @ 8A
    16A
    -55°C~150°C
    200A
    300V
    16A
    1.3V
    300V
    8A
    50 ns
    10μA
    300V
    125A
    300V
    1 Pair Common Cathode
    200A
    50 ns
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    SBR20A200CT
    Diodes Incorporated
    DIODE ARRAY SBR 200V 10A TO220AB
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    -
    6.000006g
    Tube
    活跃
    1 (Unlimited)
    175°C
    -65°C
    -
    -
    -
    SBR20A200CT
    共阴极
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    超屏蔽
    100μA @ 200V
    -
    860mV @ 10A
    20A
    -65°C~175°C
    -
    -
    -
    960mV
    200V
    10A
    30 ns
    100μA
    200V
    180A
    -
    1 Pair Common Cathode
    180A
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    15 Weeks
    SILICON
    2
    SBR®
    2010
    e3
    no
    3
    SMD/SMT
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    快速软恢复
    8541.10.00.80
    SINGLE
    260
    40
    3
    1
    TO-220AB
    175°C
    20.93mm
    10.66mm
    4.82mm
    无
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SBR20A200CT SBR20A200CT Diodes Incorporated 二极管 - 整流器 - 阵列 TO-220-3 DIODE ARRAY SBR 200V 10A TO220AB 对比