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FES16DTR备选型号: FES16DT

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  • 最小工作温度
  • 电容量
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 基本部件号
  • 极性
  • 元素配置
  • 速度
  • 二极管类型
  • 反向泄漏电流@ Vr
  • 功率耗散
  • 输出电流
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
  • 工作温度 - 结点
  • 最大浪涌电流
  • 正向电压
  • 最大反向电压（DC）
  • 平均整流电流
  • 反向恢复时间
  • 峰值反向电流
  • 最大重复反向电压(Vrrm)
  • 电容@Vr, F
  • 峰值非恢复性浪涌电流
  • 反向电压
  • 最大正向浪涌电流（Ifsm）
  • 恢复时间
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 供应商器件包装
  • 电压 - 直流逆向（Vr）（最大值）
  • 平均整流电流（Io）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    FES16DTR
    ON Semiconductor
    Rectifiers 16A Reverse Polarity Ultra Fast Recovery
    通孔
    通孔
    TO-220-2
    2
    2.16g
    Tube
    2001
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    150°C
    -65°C
    170pF
    200V
    16A
    FES16D
    Reverse
    Single
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Standard
    10μA @ 200V
    7.81W
    16A
    950mV @ 8A
    -65°C~150°C
    250A
    950mV
    200V
    16A
    35 ns
    10μA
    200V
    170pF @ 4V 1MHz
    250A
    200V
    250A
    35 ns
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FES16DT
    ON Semiconductor
    DIODE GEN PURP 200V 16A TO220-2L
    通孔
    通孔
    TO-220-2
    2
    2.16g
    Tube
    2001
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    150°C
    -65°C
    170pF
    200V
    16A
    FES16D
    Standard
    Single
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Standard
    10μA @ 200V
    7.81W
    16A
    950mV @ 8A
    -65°C~150°C
    250A
    950mV
    200V
    16A
    35 ns
    10μA
    200V
    170pF @ 4V 1MHz
    250A
    200V
    250A
    35 ns
    符合RoHS标准
    无铅
    TO-220-2
    200V
    16A
    6.35mm
    6.35mm
    6.35mm
    无
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