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首页 全部分类 FF1000R17IE4DB2BOSA1 vs FZ1600R17HP4HOSA2

FF1000R17IE4DB2BOSA1备选型号: FZ1600R17HP4HOSA2

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  • 配置
  • 元素配置
  • 功率 - 最大
  • 无卤素
  • 输入
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最大集极截止电流
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
  • NTC热敏电阻
  • 输入电容(Cies)@Vce
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 晶体管元件材料
  • 终止次数
  • 端子位置
  • 终端形式
  • JESD-30代码
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 极性/通道类型
  • 接通时间
  • 关断时间-标准值（toff)
  • IGBT类型
  • Infineon Technologies
    FF1000R17IE4DB2BOSA1
    Infineon Technologies
    IGBT MODULE VCES 1700V 1000A
    50 Weeks
    Screw
    底座安装
    Module
    12
    -40°C~150°C
    2002
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    未说明
    未说明
    2 Independent
    Dual
    6250W
    不含卤素
    Standard
    1.7kV
    1.39kA
    5mA
    1700V
    2.45V @ 15V, 1000A
    有
    81nF @ 25V
    符合RoHS标准
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    FZ1600R17HP4HOSA2
    Infineon Technologies
    IGBT MODULE 1700V 1600A
    50 Weeks
    Screw
    底座安装
    Module
    7
    -40°C~150°C
    2002
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    -
    单开关
    Dual
    10500W
    -
    Standard
    1.7kV
    1.6kA
    5mA
    1700V
    2.25V @ 15V, 1300A
    无
    130nF @ 25V
    ROHS3 Compliant
    -
    SILICON
    1600A
    3
    UPPER
    UNSPECIFIED
    R-XUFM-X3
    ISOLATED
    电源控制
    N-CHANNEL
    1075 ns
    2095 ns
    Trench
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图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
FZ1600R17HP4HOSA2 FZ1600R17HP4HOSA2 Infineon Technologies 晶体管 - IGBT - 模块 Module IGBT MODULE 1700V 1600A 对比