FF1400R17IP4BOSA1备选型号: FMG2G50US60
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- 晶体管元件材料
- Collector-Emitter Saturation Voltage
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- 引脚数量
- 资历状况
- 配置
- 元素配置
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- 箱体转运
- 功率 - 最大
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 输入
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集极截止电流
- 电压 - 集射极击穿(最大值)
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- 关断时间-标准值(toff)
- IGBT类型
- NTC热敏电阻
- 输入电容(Cies)@Vce
- RoHS状态
- 无铅
- 包装
- 终端
- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 额定电流
- 上升时间
- 最大集电极电流
- 孔直径
- 输入电容
- 达到SVHC
- IGBT MODULE 1700V 1400A50 WeeksScrew底座安装Module12SILICON2.2V1400A-40°C~150°CPrimePACK™32002no活跃1 (Unlimited)12EAR99UPPERUNSPECIFIED未说明未说明12不合格2 IndependentDual9.55kWISOLATED955000W电源控制N-CHANNELStandard1.7kV5mA1700V1030 ns2.2V @ 15V, 1400A2190 ns沟渠现场停车有110nF @ 25V符合RoHS标准无铅----------
- IGBT MODULE 600V 50A 250W 7PMGA-Chassis Mount, Screw底座安装7PM-GA7-2.2V600V-40°C~150°C TJ---Obsolete1 (Unlimited)--------半桥Dual250W----Standard600V250μA--2.8V @ 15V, 50A--无3.46nF @ 30V符合RoHS标准无铅BulkScrew600V250W50A30ns50A5.4 mm3.46nF无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FMG2G75US60 | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 模块 | 7PM-GA | IGBT MODULE 600V 75A 310W 7PMGA | 对比 | |
![]() | BSM75GB60DLCHOSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 模块 | Module | IGBT MOD 600V 100A 355W | 对比 |
| FMG2G50US60 | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 模块 | 7PM-GA | IGBT MODULE 600V 50A 250W 7PMGA | 对比 |




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