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首页 全部分类 FF200R12KT3EHOSA1 vs DF200R12KE3HOSA1

FF200R12KT3EHOSA1备选型号: DF200R12KE3HOSA1

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  • 终端形式
  • 配置
  • 元素配置
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  • 功率 - 最大
  • 晶体管应用
  • 无卤素
  • 极性/通道类型
  • 输入
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最大集极截止电流
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
  • 接通时间
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
  • 关断时间-标准值（toff)
  • NTC热敏电阻
  • 输入电容(Cies)@Vce
  • RoHS状态
  • 无铅
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 无铅代码
  • 引脚数量
  • 功率耗散
  • Infineon Technologies
    FF200R12KT3EHOSA1
    Infineon Technologies
    IGBT MODULE 1200V 1050W
    14 Weeks
    Screw
    底座安装
    Module
    7
    SILICON
    2
    -40°C~125°C
    2002
    活跃
    1 (Unlimited)
    7
    EAR99
    UL 认证
    UPPER
    UNSPECIFIED
    2 Independent
    Dual
    ISOLATED
    1050W
    电源控制
    不含卤素
    N-CHANNEL
    Standard
    1.2kV
    295A
    5mA
    1200V
    215 ns
    2.15V @ 15V, 200A
    680 ns
    无
    14nF @ 25V
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    DF200R12KE3HOSA1
    Infineon Technologies
    IGBT MODULE VCES 1200V 200A
    14 Weeks
    Screw
    底座安装
    Module
    5
    SILICON
    1
    -40°C~125°C
    2012
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    -
    UPPER
    UNSPECIFIED
    Single
    -
    ISOLATED
    1040W
    -
    不含卤素
    N-CHANNEL
    Standard
    1.2kV
    295A
    5mA
    1200V
    400 ns
    2.15V @ 15V, 200A
    830 ns
    无
    14nF @ 25V
    符合RoHS标准
    无铅
    1.7V
    yes
    5
    1.04kW
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