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首页 全部分类 FF200R12KT3HOSA1 vs APTGT150H60TG

FF200R12KT3HOSA1备选型号: APTGT150H60TG

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  • 关断时间-标准值（toff)
  • IGBT类型
  • NTC热敏电阻
  • 输入电容(Cies)@Vce
  • RoHS状态
  • 已出版
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  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 最大功率耗散
  • JESD-30代码
  • 输入电容
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    FF200R12KT3HOSA1
    Infineon Technologies
    IGBT MODULE 1200V 1050W
    14 Weeks
    Screw
    底座安装
    Module
    7
    SILICON
    2
    -40°C~125°C
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    7
    EAR99
    UPPER
    UNSPECIFIED
    7
    2 Independent
    Dual
    ISOLATED
    1050W
    电源控制
    N-CHANNEL
    Standard
    1.2kV
    295A
    5mA
    1200V
    215 ns
    2.15V @ 15V, 200A
    680 ns
    沟渠现场停车
    无
    14nF @ 25V
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Microsemi Corporation
    APTGT150H60TG
    Microsemi Corporation
    Trans IGBT Module N-CH 600V 225A 20-Pin Case SP-4
    36 Weeks
    Chassis Mount, Screw
    底座安装
    SP4
    20
    SILICON
    600V
    -40°C~175°C TJ
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    14
    EAR99
    UPPER
    UNSPECIFIED
    14
    全桥逆变器
    -
    ISOLATED
    480W
    电源控制
    N-CHANNEL
    Standard
    600V
    225A
    250μA
    -
    180 ns
    1.9V @ 15V, 150A
    370 ns
    沟渠现场停车
    有
    9.2nF @ 25V
    符合RoHS标准
    2006
    e1
    锡银铜
    雪崩 额定
    480W
    R-XUFM-X14
    9.2nF
    无
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