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首页 全部分类 FF225R17ME4BOSA1 vs APTGT225DU170G

FF225R17ME4BOSA1备选型号: APTGT225DU170G

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  • 资历状况
  • 配置
  • 元素配置
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  • 功率 - 最大
  • 晶体管应用
  • 极性/通道类型
  • 输入
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最大集极截止电流
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
  • 接通时间
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
  • 关断时间-标准值（toff)
  • IGBT类型
  • NTC热敏电阻
  • 输入电容(Cies)@Vce
  • RoHS状态
  • JESD-609代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 最大功率耗散
  • 输入电容
  • Infineon Technologies
    FF225R17ME4BOSA1
    Infineon Technologies
    IGBT MOD 1700V 340A 1500W
    16 Weeks
    Screw
    底座安装
    Module
    11
    SILICON
    2
    -40°C~150°C
    EconoDUAL™ 3
    2002
    no
    活跃
    不适用
    11
    EAR99
    UPPER
    UNSPECIFIED
    未说明
    未说明
    11
    不合格
    2 Independent
    Dual
    ISOLATED
    1500W
    电源控制
    N-CHANNEL
    Standard
    1.7kV
    340A
    3mA
    1700V
    350 ns
    2.3V @ 15V, 225A
    1500 ns
    沟渠现场停车
    有
    18.5nF @ 25V
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
  • Microsemi Corporation
    APTGT225DU170G
    Microsemi Corporation
    IGBT MODULE 1700V 340A 1250W SP6
    36 Weeks
    Chassis Mount, Screw
    底座安装
    SP6
    7
    SILICON
    1.7kV
    -40°C~150°C TJ
    -
    2012
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    7
    EAR99
    UPPER
    UNSPECIFIED
    -
    -
    7
    -
    Dual, Common Source
    Dual
    ISOLATED
    1250W
    电源控制
    N-CHANNEL
    Standard
    1.7kV
    340A
    500μA
    1700V
    450 ns
    2.4V @ 15V, 225A
    1100 ns
    沟渠现场停车
    无
    20nF @ 25V
    符合RoHS标准
    e1
    锡银铜
    雪崩 额定
    1.25kW
    20nF
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