FF300R12KS4HOSA1备选型号: FF200R12KT3HOSA1
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- 配置
- 元素配置
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- 功率 - 最大
- 极性/通道类型
- 输入
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最大集极截止电流
- 电压 - 集射极击穿(最大值)
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- 关断时间-标准值(toff)
- NTC热敏电阻
- 输入电容(Cies)@Vce
- 高度
- 长度
- 宽度
- RoHS状态
- 晶体管应用
- IGBT类型
- IGBT MODULE VCES 600V 300A99 WeeksPanel, Screw底座安装Module7SILICON2-40°C~125°C2002yes活跃不适用7EAR99FAST1.95kWUPPERUNSPECIFIED72 IndependentDualISOLATED1950WN-CHANNELStandard1.2kV370A5mA1200V180 ns3.75V @ 15V, 300A590 ns无20nF @ 25V30.9mm106.4mm61.4mmROHS3 Compliant--
- IGBT MODULE 1200V 1050W14 WeeksScrew底座安装Module7SILICON2-40°C~125°C-yes活跃1 (Unlimited)7EAR99--UPPERUNSPECIFIED72 IndependentDualISOLATED1050WN-CHANNELStandard1.2kV295A5mA1200V215 ns2.15V @ 15V, 200A680 ns无14nF @ 25V---符合RoHS标准电源控制沟渠现场停车
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FF200R12KS4HOSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 模块 | Module | IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 275 A, 3.2 V, 1.4 kW, 1.2 kV, Module | 对比 |
![]() | FZ400R12KE4HOSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 模块 | Module | IGBT MOD 1200V 400A 2400W | 对比 |
| FF200R12KT3HOSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 模块 | Module | IGBT MODULE 1200V 1050W | 对比 |





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