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首页 全部分类 FF300R12ME3BOSA1 vs APTGT300A60G

FF300R12ME3BOSA1备选型号: APTGT300A60G

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  • 接通时间
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  • 关断时间-标准值（toff)
  • IGBT类型
  • NTC热敏电阻
  • 输入电容(Cies)@Vce
  • RoHS状态
  • 无铅
  • JESD-609代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 最大功率耗散
  • 晶体管应用
  • 输入电容
  • Infineon Technologies
    FF300R12ME3BOSA1
    Infineon Technologies
    IGBT MOD 1200V 500A 1450W
    14 Weeks
    Tin
    Screw
    底座安装
    Module
    11
    SILICON
    2
    -40°C~125°C
    EconoDUAL™
    2002
    no
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    11
    EAR99
    UPPER
    UNSPECIFIED
    未说明
    未说明
    11
    不合格
    半桥逆变器
    Dual
    ISOLATED
    1450W
    不含卤素
    N-CHANNEL
    Standard
    1.2kV
    500A
    5mA
    1200V
    400 ns
    2.15V @ 15V, 300A
    810 ns
    沟渠现场停车
    有
    20nF @ 25V
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Microsemi Corporation
    APTGT300A60G
    Microsemi Corporation
    IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG SP6
    36 Weeks
    -
    Chassis Mount, Screw
    底座安装
    SP6
    7
    SILICON
    600V
    -40°C~175°C TJ
    -
    2006
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    7
    EAR99
    UPPER
    UNSPECIFIED
    -
    -
    7
    -
    半桥
    Dual
    ISOLATED
    1150W
    -
    N-CHANNEL
    Standard
    600V
    430A
    350μA
    -
    170 ns
    1.8V @ 15V, 300A
    320 ns
    沟渠现场停车
    无
    24nF @ 25V
    符合RoHS标准
    -
    e1
    锡银铜
    雪崩 额定
    1.15kW
    电源控制
    24nF
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