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首页 全部分类 FF600R12ME4BOSA1 vs APTGT400DU120G

FF600R12ME4BOSA1备选型号: APTGT400DU120G

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  • 安装类型
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  • 晶体管元件材料
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
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  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 配置
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 功率 - 最大
  • 晶体管应用
  • 极性/通道类型
  • 输入
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最大集极截止电流
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
  • 接通时间
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
  • 关断时间-标准值（toff)
  • IGBT类型
  • NTC热敏电阻
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 输入电容(Cies)@Vce
  • RoHS状态
  • JESD-609代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 最大功率耗散
  • 输入电容
  • Infineon Technologies
    FF600R12ME4BOSA1
    Infineon Technologies
    IGBT MODULE VCES 600V 600A
    52 Weeks
    Screw
    底座安装
    Module
    11
    SILICON
    2.1V
    2
    -40°C~150°C
    2002
    no
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    7
    EAR99
    UPPER
    UNSPECIFIED
    未说明
    未说明
    11
    R-XUFM-X7
    不合格
    2 Independent
    Dual
    4.05kW
    ISOLATED
    4050W
    电源控制
    N-CHANNEL
    Standard
    1.2kV
    600A
    3mA
    1200V
    310 ns
    2.1V @ 15V, 600A
    770 ns
    沟渠现场停车
    有
    20V
    37nF @ 25V
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
  • Microsemi Corporation
    APTGT400DU120G
    Microsemi Corporation
    IGBT MODULE 1200V 560A 1785W SP6
    36 Weeks
    Chassis Mount, Screw
    底座安装
    SP6
    7
    SILICON
    -
    1.2kV
    -40°C~150°C TJ
    -
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    7
    EAR99
    UPPER
    UNSPECIFIED
    -
    -
    7
    -
    -
    Dual, Common Source
    Dual
    -
    ISOLATED
    1785W
    电源控制
    N-CHANNEL
    Standard
    1.2kV
    560A
    750μA
    1200V
    340 ns
    2.1V @ 15V, 400A
    610 ns
    沟渠现场停车
    无
    -
    28nF @ 25V
    符合RoHS标准
    e1
    锡银铜
    雪崩 额定
    1.785kW
    28nF
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APTGT400DU120G APTGT400DU120G Microsemi Corporation 晶体管 - IGBT - 模块 SP6 IGBT MODULE 1200V 560A 1785W SP6 对比