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首页 全部分类 FF600R17KE3B2NOSA1 vs APTGT600A60G

FF600R17KE3B2NOSA1备选型号: APTGT600A60G

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  • 元素配置
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  • 无卤素
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  • 接通时间
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
  • 关断时间-标准值（toff)
  • NTC热敏电阻
  • 输入电容(Cies)@Vce
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 最大功率耗散
  • 引脚数量
  • 接通延迟时间
  • 输入电容
  • IGBT类型
  • Infineon Technologies
    FF600R17KE3B2NOSA1
    Infineon Technologies
    IGBT MODULE VCES 600V 600A
    42 Weeks
    Screw
    底座安装
    Module
    130
    SILICON
    2
    -40°C~125°C
    2002
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    10
    EAR99
    UPPER
    UNSPECIFIED
    R-XUFM-X10
    2 Independent
    Dual
    ISOLATED
    4300W
    电源控制
    不含卤素
    N-CHANNEL
    Standard
    1.7kV
    950A
    5mA
    1700V
    900 ns
    2.45V @ 15V, 600A
    1900 ns
    无
    54nF @ 25V
    符合RoHS标准
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Microsemi Corporation
    APTGT600A60G
    Microsemi Corporation
    IGBT MODULE 600V 700A 2300W SP6
    36 Weeks
    Chassis Mount, Screw
    底座安装
    SP6
    7
    SILICON
    600V
    -40°C~175°C TJ
    2007
    活跃
    1 (Unlimited)
    7
    EAR99
    UPPER
    UNSPECIFIED
    -
    半桥
    Dual
    ISOLATED
    2300W
    MOTOR CONTROL
    -
    N-CHANNEL
    Standard
    600V
    700A
    750μA
    -
    205 ns
    1.8V @ 15V, 600A
    400 ns
    无
    49nF @ 25V
    符合RoHS标准
    无铅
    IN PRODUCTION (Last Updated: 3 weeks ago)
    e1
    yes
    锡银铜
    雪崩 额定
    2.3kW
    7
    130 ns
    49nF
    沟渠现场停车
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