FFP30S60STU备选型号: FFP04S60STU

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  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 质量
  • 二极管元件材料
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 应用
  • 附加功能
  • HTS代码
  • 元素配置
  • 速度
  • 二极管类型
  • 反向泄漏电流@ Vr
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
  • 正向电流
  • 工作温度 - 结点
  • 最大浪涌电流
  • 正向电压
  • 最大反向电压(DC)
  • 平均整流电流
  • 相位的数量
  • 反向恢复时间
  • 峰值反向电流
  • 最大重复反向电压(Vrrm)
  • 峰值非恢复性浪涌电流
  • 反向电压
  • 最大正向浪涌电流(Ifsm)
  • 恢复时间
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    DIODE GEN PURP 600V 30A TO220-2L
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    4 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-2
    2
    2.16g
    SILICON
    1
    Tube
    Stealth™
    2007
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    150°C
    -65°C
    超快软恢复
    HIGH RELIABILITY, FREE WHEELING DIODE
    8541.10.00.80
    Single
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Standard
    100μA @ 600V
    2.6V @ 30A
    30A
    -65°C~150°C
    300A
    2.6V
    600V
    30A
    1
    40 ns
    100μA
    600V
    300A
    600V
    300A
    40 ns
    16.51mm
    10.67mm
    4.83mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
  • ON Semiconductor
    DIODE GEN PURP 600V 4A TO220-2L
    -
    -
    通孔
    通孔
    TO-220-2
    -
    -
    -
    -
    Tube
    Stealth™
    2007
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    150°C
    -65°C
    -
    -
    -
    Single
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Standard
    100μA @ 600V
    2.6V @ 4A
    -
    -65°C~150°C
    40A
    2.6V
    600V
    4A
    -
    25 ns
    100μA
    -
    40A
    600V
    -
    25 ns
    -
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    -
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