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首页 全部分类 FGA30S120P vs STGW30NC120HD

FGA30S120P备选型号: STGW30NC120HD

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  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
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  • 系列
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 反向恢复时间
  • 接通时间
  • 连续集电极电流
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  • Td（开/关）@25°C
  • 开关能量
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    FGA30S120P
    ON Semiconductor
    IGBT Transistors Shorted AnodeTM IGBT
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    15 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-3P-3, SC-65-3
    3
    6.401g
    SILICON
    1.3kV
    2.3V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    2016
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    8541.29.00.95
    348W
    未说明
    未说明
    490ns
    Single
    Standard
    348W
    电源控制
    N-CHANNEL
    1.3kV
    60A
    1300V
    2.3V @ 15V, 30A
    沟渠现场停车
    78nC
    150A
    25V
    7.5V
    20.1mm
    15.8mm
    5mm
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STGW30NC120HD
    STMicroelectronics
    STMICROELECTRONICS STGW30NC120HD IGBT Single Transistor, 60 A, 2.75 V, 220 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pins
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    8 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    38.000013g
    SILICON
    1.2kV
    2.75V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    -
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    220W
    -
    -
    -
    Single
    Standard
    -
    电源控制
    N-CHANNEL
    1.2kV
    60A
    1200V
    2.75V @ 15V, 20A
    -
    110nC
    -
    25V
    5.75V
    20.15mm
    15.75mm
    5.15mm
    ROHS3 Compliant
    PowerMESH™
    1.2kV
    30A
    STGW30
    3
    220W
    29 ns
    11ns
    152ns
    41 ns
    30A
    928 ns
    29ns/275ns
    1.66mJ (on), 4.44mJ (off)
    无SVHC
    无
    无铅
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