FGA5065ADF备选型号: IGW40N65F5FKSA1
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- JESD-609代码
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- 湿度敏感性等级(MSL)
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- 端子表面处理
- HTS代码
- 最大功率耗散
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 输入类型
- 功率 - 最大
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 反向恢复时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- IGBT类型
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- Td(开/关)@25°C
- 开关能量
- RoHS状态
- 引脚数
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 系列
- 元素配置
- 功率耗散
- 极性/通道类型
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- 达到SVHC
- 无铅
- IGBT 650V 100A TO-3PNACTIVE (Last Updated: 4 days ago)6 Weeks通孔通孔TO-3P-3, SC-65-36.401g650V-55°C~175°C TJTube2016e3yes活跃1 (Unlimited)EAR99Tin (Sn)8541.29.00.95268W未说明未说明Standard268W2.2V100A31.8 ns2.2V @ 15V, 50A沟渠现场停车72.2nC150A20.8ns/62.4ns1.35mJ (on), 309μJ (off)ROHS3 Compliant----------
- IGBT Transistors IGBT PRODUCTS-26 Weeks通孔通孔TO-247-3-650V-40°C~175°C TJTube2008e3yes活跃1 (Unlimited)EAR99Tin (Sn)-255W未说明未说明Standard-1.6V74A-2.1V @ 15V, 40A-95nC120A19ns/160ns360μJ (on), 100μJ (off)ROHS3 Compliant31.6VTrenchStop®Single255WN-CHANNEL20V4.8VUnknown无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FGA40T65SHD | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-3P-3, SC-65-3 | IGBT 650V 80A 268W TO-3PN | 对比 | |
![]() | IGW40N65F5FKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS | 对比 |
| FGA50T65SHD | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-3P-3, SC-65-3 | IGBT 650V 100A 319W TO-3PN | 对比 |



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