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FGA50T65SHD备选型号: FGA40T65SHD
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- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 输入类型
- 功率 - 最大
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 反向恢复时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
- IGBT类型
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- 开关能量
- RoHS状态
IGBT 650V 100A 319W TO-3PNACTIVE (Last Updated: 4 days ago)4 Weeks通孔通孔TO-3P-3, SC-65-36.401g650V2.14V-55°C~175°C TJTube2015e3yes活跃1 (Unlimited)EAR99Tin (Sn)8541.29.00.95319W未说明未说明Standard319W2.1V100A34.6 ns2.1V @ 15V, 50A沟渠现场停车87nC150A22.4ns/73.6ns1.28mJ (on), 384μJ (off)ROHS3 Compliant- IGBT 650V 80A 268W TO-3PNACTIVE (Last Updated: 4 days ago)8 Weeks通孔通孔TO-3P-3, SC-65-36.401g650V2.14V-55°C~175°C TJTube2016e3yes活跃1 (Unlimited)EAR99Tin (Sn)8541.29.00.95268W未说明未说明Standard268W2.1V80A31.8 ns2.1V @ 15V, 40A沟渠现场停车72.2nC120A19.2ns/65.6ns1.01mJ (on), 297μJ (off)ROHS3 Compliant
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FGH50T65UPD | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT Transistors 650 V 100 A 240 W | 对比 |
 | STGW40H65DFB | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT 650V 80A 283W TO-247 | 对比 |
| FGA5065ADF | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-3P-3, SC-65-3 | IGBT 650V 100A TO-3PN | 对比 |
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