ON Semiconductor FGH50T65UPD

生命周期状态

ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 5 days ago)

工厂交货时间

50 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

引脚数

3

质量

6.39g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

650V

Collector-Emitter Saturation Voltage

2.1V

Number of Elements

1

Test Conditions

400V, 50A, 6 Ω, 15V

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

已出版

2013

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

HTS代码

8541.29.00.95

最大功率耗散

340W

上升时间-最大值

77ns

元素配置

Single

箱体转运

COLLECTOR

输入类型

Standard

功率 - 最大

340W

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

650V

最大集电极电流

100A

反向恢复时间

53 ns

JEDEC-95代码

TO-247AB

接通时间

101 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.3V @ 15V, 50A

关断时间-标准值（toff)

185 ns

IGBT类型

沟渠现场停车

闸门收费

230nC

集极脉冲电流（Icm）

150A

Td（开/关）@25°C

32ns/160ns

开关能量

2.7mJ (on), 740μJ (off)

栅极-发射极电压-最大值

25V

栅极-发射极Thr电压-最大值

7.5V

最大下降时间 (tf)

29ns

高度

20.82mm

长度

15.87mm

宽度

4.82mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅