我的订单
会员中心 
在线咨询
0755-83328606
FGA6540WDF备选型号: NGTB40N65FL2WG
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 质量
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- HTS代码
- 最大功率耗散
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 元素配置
- 输入类型
- 功率 - 最大
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 反向恢复时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
- IGBT类型
- 闸门收费
- 集极脉冲电流（Icm）
- Td（开/关）@25°C
- 开关能量
- RoHS状态
- 引脚数
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 无铅
IGBT 650V 80A 238W TO-3PNACTIVE (Last Updated: 4 days ago)4 Weeks通孔通孔TO-3P-3, SC-65-36.401g650V1.8V-55°C~175°C TJTube2016e3yes活跃1 (Unlimited)EAR99Tin (Sn)8541.29.00.95238W未说明未说明SingleStandard238W2.3V80A101 ns2.3V @ 15V, 40A沟渠现场停车55.5nC120A16.8ns/54.4ns1.37mJ (on), 250μJ (off)ROHS3 Compliant------
ON SEMICONDUCTOR NGTB40N65FL2WGIGBT Single Transistor, 80 A, 1.7 V, 366 W, 650 V, TO-247, 3 PinsACTIVE (Last Updated: 2 days ago)21 Weeks通孔通孔TO-247-338.000013g650V2.1V-55°C~175°C TJTube2011-yes活跃1 (Unlimited)---366W--SingleStandard366W650V80A72 ns2V @ 15V, 40A沟渠现场停车170nC160A84ns/177ns970μJ (on), 440μJ (off)ROHS3 Compliant321.08mm16.26mm5.3mm无SVHC无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FGA40T65SHDF | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-3P-3, SC-65-3 | IGBT 650V 80A 268W TO-3PN | 对比 |
| FGH40T65SHDF-F155 | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT 650V 80A 268W TO-247-3 | 对比 |
 | STGW40H65DFB | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT 650V 80A 283W TO-247 | 对比 |
哦! 它是空的。