ON Semiconductor FGH40T65SHDF-F155

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)

工厂交货时间

6 Weeks

触点镀层

Tin

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

引脚数

3

质量

6.39g

Collector-Emitter Breakdown Voltage

650V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.45V

Test Conditions

400V, 40A, 6 Ω, 15V

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

已出版

2016

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最大功率耗散

268W

元素配置

Single

输入类型

Standard

功率 - 最大

268W

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

650V

最大集电极电流

80A

反向恢复时间

101 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

1.81V @ 15V, 40A

IGBT类型

场站

闸门收费

68nC

集极脉冲电流（Icm）

120A

Td（开/关）@25°C

18ns/64ns

开关能量

1.22mJ (on), 440μJ (off)

栅极-发射极电压-最大值

20V

栅极-发射极Thr电压-最大值

7.5V

RoHS状态

ROHS3 Compliant