FGAF40N60SMD备选型号: FGH40N60SMD
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- HTS代码
- 最大功率耗散
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 元素配置
- 箱体转运
- 输入类型
- 功率 - 最大
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 反向恢复时间
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- 关断时间-标准值(toff)
- IGBT类型
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- Td(开/关)@25°C
- 开关能量
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- 最大下降时间 (tf)
- 高度
- 长度
- 宽度
- RoHS状态
- 无铅
- 附加功能
- 基本部件号
- 上升时间-最大值
- JEDEC-95代码
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- IGBT Transistors 600 V 80 A 79 WACTIVE (Last Updated: 4 days ago)8 Weeks通孔通孔TO-3P-3 Full Pack36.962gSILICON600V2.1V-55°C~175°C TJTube2013e3yes活跃1 (Unlimited)3EAR99Tin (Sn)8541.29.00.95115W未说明未说明SingleISOLATEDStandard115WMOTOR CONTROLN-CHANNEL600V80A36 ns37 ns1.9V @ 15V, 40A132 ns场站119nC120A12ns/92ns870μJ (on), 260μJ (off)20V6V17ns26.7mm15.7mm3.2mmROHS3 Compliant无铅------
- IGBT 600V 80A 349W TO-247-3-5 Weeks通孔通孔TO-247-336.39gSILICON600V2.1V-55°C~175°C TJTube2013e3yes活跃1 (Unlimited)3EAR99Tin (Sn)8541.29.00.95349W--SingleCOLLECTORStandard349W电源控制N-CHANNEL600V80A36 ns37 ns2.5V @ 15V, 40A132 ns场站119nC120A12ns/92ns870μJ (on), 260μJ (off)20V6V17ns20.6mm15.6mm4.7mmROHS3 Compliant无铅低导通损耗FGH40N6028nsTO-247AB无SVHC无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | STGW39NC60VD | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | STMICROELECTRONICS STGW39NC60VD IGBT Single Transistor, 80 A, 2.5 V, 250 W, 600 V, TO-247, 3 Pins | 对比 |
![]() | STGW30NC60WD | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | STMICROELECTRONICS STGW30NC60WD IGBT Single Transistor, 60 A, 2.5 V, 200 W, 600 V, TO-247, 3 Pins | 对比 |
| FGH80N60FDTU | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT 600V 80A 290W TO247 | 对比 |




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