STMicroelectronics STGW30NC60WD
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STGW30NC60WD
2381-STGW30NC60WD
晶体管 - IGBT - 单个
TO-247-3
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STMICROELECTRONICS STGW30NC60WD IGBT Single Transistor, 60 A, 2.5 V, 200 W, 600 V, TO-247, 3 Pins
--最小包装量--
STGW30NC60WD详情
STMicroelectronics STGW30NC60WD重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
工厂交货时间
8 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-247-3
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
600V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.1V
Number of Elements
1
Test Conditions
390V, 20A, 10 Ω, 15V
Turn Off Delay Time
118 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
PowerMESH™
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
电压 - 额定直流
600V
最大功率耗散
200W
额定电流
60A
基本部件号
STGW30
引脚数量
3
元素配置
Single
功率耗散
200W
箱体转运
ISOLATED
输入类型
Standard
接通延迟时间
29.5 ns
晶体管应用
电源控制
上升时间
12ns
极性/通道类型
N-CHANNEL
集电极发射器电压(VCEO)
600V
最大集电极电流
60A
反向恢复时间
40 ns
JEDEC-95代码
TO-247AC
接通时间
42.5 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.5V @ 15V, 20A
关断时间-标准值(toff)
189 ns
闸门收费
102nC
集极脉冲电流(Icm)
150A
Td(开/关)@25°C
29.5ns/118ns
开关能量
305μJ (on), 181μJ (off)
栅极-发射极电压-最大值
20V
栅极-发射极Thr电压-最大值
5.75V
高度
20.15mm
长度
15.75mm
宽度
5.15mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
STGW30NC60WD拓展信息
STMicroelectronics
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