FGH20N60SFDTU备选型号: FGH80N60FDTU
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- 晶体管元件材料
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 操作温度
- 包装
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- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- HTS代码
- 最大功率耗散
- 元素配置
- 箱体转运
- 输入类型
- 接通延迟时间
- 功率 - 最大
- 晶体管应用
- 上升时间
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 反向恢复时间
- JEDEC-95代码
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- 关断时间-标准值(toff)
- IGBT类型
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- Td(开/关)@25°C
- 开关能量
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- 最大下降时间 (tf)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- IGBT 600V 40A 165W TO2475 Weeks通孔通孔TO-247-336.39gSILICON600V600V-55°C~150°C TJTube2008e3yes活跃1 (Unlimited)3EAR99Tin (Sn)低导通损耗8541.29.00.95165WSingleCOLLECTORStandard13 ns165W电源控制16nsN-CHANNEL600V40A34 nsTO-247AB28 ns2.8V @ 15V, 20A123 ns场站65nC60A13ns/90ns370μJ (on), 160μJ (off)20V6.5V48ns20.6mm15.6mm4.7mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅-
- IGBT 600V 80A 290W TO2474 Weeks通孔通孔TO-247-336.39gSILICON600V600V-55°C~150°C TJTube2011e3yes活跃1 (Unlimited)3EAR99Tin (Sn)-8541.29.00.95290WSingleCOLLECTORStandard21 ns290W电源控制-N-CHANNEL600V80A36 nsTO-247AB74 ns2.4V @ 15V, 40A201 ns场站120nC160A21ns/126ns1mJ (on), 520μJ (off)20V7V100ns20.6mm15.6mm4.7mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FGH80N60FDTU | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT 600V 80A 290W TO247 | 对比 | |
![]() | STGW20V60DF | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT 600V 40A 167W TO247 | 对比 |
![]() | IKW20N60TFKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT 600V 40A 166W TO247-3 | 对比 |




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