FGH25N120FTDS备选型号: IKW25T120FKSA1
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- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- HTS代码
- 最大功率耗散
- 元素配置
- 箱体转运
- 输入类型
- 功率 - 最大
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 反向恢复时间
- JEDEC-95代码
- 电压 - 集射极击穿(最大值)
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- 关断时间-标准值(toff)
- IGBT类型
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- Td(开/关)@25°C
- 开关能量
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 系列
- 引脚数量
- 功率耗散
- 无铅
- IGBT 1200V 50A 313W TO247ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)5 Weeks通孔通孔TO-247-336.39gSILICON1.2kV-55°C~150°C TJTube2016e3yes活跃1 (Unlimited)3EAR99Tin (Sn)8541.29.00.95313WSingleCOLLECTORStandard313W电源控制N-CHANNEL1.2kV50A535 nsTO-247AB1200V63 ns2V @ 15V, 25A299 ns沟渠现场停车169nC75A26ns/151ns1.42mJ (on), 1.16mJ (off)25V7.5V20.82mm15.87mm4.82mm无ROHS3 Compliant----
- IGBT 1200V 50A 190W TO247-3-14 Weeks通孔通孔TO-247-33-SILICON1.2kV-40°C~150°C TJTube2006e3yes活跃1 (Unlimited)3EAR99Tin (Sn)-190WSingleCOLLECTORStandard-电源控制N-CHANNEL1.2kV50A200 nsTO-247AC1200V82 ns2.2V @ 15V, 25A790 nsNPT, Trench Field Stop155nC75A50ns/560ns4.2mJ-----无ROHS3 CompliantTrenchStop®3190W无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IKW25T120FKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT 1200V 50A 190W TO247-3 | 对比 |
![]() | IHW20N120R3FKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT 1200V 40A 310W TO247-3 | 对比 |
![]() | STGW30NC120HD | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | STMICROELECTRONICS STGW30NC120HD IGBT Single Transistor, 60 A, 2.75 V, 220 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pins | 对比 |




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