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首页 全部分类 FGH25T120SMD-F155 vs IRG7PH35UD1PBF

FGH25T120SMD-F155备选型号: IRG7PH35UD1PBF

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  • Td（开/关）@25°C
  • 开关能量
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  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 表面安装
  • ECCN 代码
  • 端子位置
  • Reach合规守则
  • 基本部件号
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 配置
  • 功率 - 最大
  • 最大耗散功率(Abs)
  • 最大下降时间 (tf)
  • ON Semiconductor
    FGH25T120SMD-F155
    ON Semiconductor
    IGBT Transistors 1200V, 25A Field Stop Trench IGBT
    ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
    5 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    6.39g
    SILICON
    1.2kV
    1.9V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    2014
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    TIN
    428W
    260
    Single
    428W
    COLLECTOR
    Standard
    电源控制
    N-CHANNEL
    1.2kV
    50A
    60ns
    TO-247AB
    1200V
    88 ns
    2.4V @ 15V, 25A
    584 ns
    沟渠现场停车
    225nC
    100A
    40ns/490ns
    1.74mJ (on), 560μJ (off)
    25V
    7.5V
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRG7PH35UD1PBF
    Infineon Technologies
    IGBT 1200V 50A 179W TO247
    -
    -
    -
    通孔
    TO-247-3
    -
    -
    SILICON
    50A
    -
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2010
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    -
    -
    -
    -
    -
    COLLECTOR
    Standard
    电源控制
    N-CHANNEL
    -
    -
    -
    TO-247AC
    1200V
    -
    2.2V @ 15V, 20A
    400 ns
    Trench
    85nC
    150A
    -/160ns
    620μJ (off)
    30V
    6V
    -
    符合RoHS标准
    NO
    EAR99
    SINGLE
    compliant
    IRG7PH35
    R-PSFM-T3
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    179W
    179W
    105ns
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